STL18N65M2 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [78748पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.49653
- 3,000 pcs$0.44020
- भाग संख्या:
- STL18N65M2
- निर्माता:
- STMicroelectronics
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in STMicroelectronics STL18N65M2 electronic components. STL18N65M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STL18N65M2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STL18N65M2 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
STL18N65M2
निर्माता :
STMicroelectronics
वर्णन :
MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT
श्रृंखला :
MDmesh™ M2
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
8A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
365 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
21.5nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±25V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
764pF @ 100V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
57W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerFlat™ (5x6) HV
प्याकेज / केस :
8-PowerVDFN
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