Vishay Siliconix - SQS944ENW-T1_GE3

KEY Part #: K6525359

SQS944ENW-T1_GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [224773पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.16456

भाग संख्या:
SQS944ENW-T1_GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CHAN 40V.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - DIACs, SIDACs and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQS944ENW-T1_GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SQS944ENW-T1_GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CHAN 40V
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 6A (Tc)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 25 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 10nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 615pF @ 25V
पावर - अधिकतम : 27.8W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : PowerPAK® 1212-8W
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PowerPAK® 1212-8W

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