STMicroelectronics - STB28NM60ND

KEY Part #: K6397419

STB28NM60ND मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [19953पीसी स्टक]

  • 1 pcs$2.06541
  • 1,000 pcs$1.83112

भाग संख्या:
STB28NM60ND
निर्माता:
STMicroelectronics
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB28NM60ND उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : STB28NM60ND
निर्माता : STMicroelectronics
वर्णन : MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
श्रृंखला : FDmesh™ II
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 23A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 150 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 62.5nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±25V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2090pF @ 100V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 190W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D2PAK
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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