FDFMA3N109 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [296432पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.12540
- 3,000 pcs$0.12478
- भाग संख्या:
- FDFMA3N109
- निर्माता:
- ON Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in ON Semiconductor FDFMA3N109 electronic components. FDFMA3N109 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDFMA3N109, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDFMA3N109 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
FDFMA3N109
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
श्रृंखला :
PowerTrench®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
2.9A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
2.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
123 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
3nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) :
±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
220pF @ 15V
FET फिचर :
Schottky Diode (Isolated)
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.5W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
6-MicroFET (2x2)
प्याकेज / केस :
6-VDFN Exposed Pad
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