STMicroelectronics - STQ1HN60K3-AP

KEY Part #: K6402081

STQ1HN60K3-AP मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [264609पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.13978
  • 2,000 pcs$0.12490

भाग संख्या:
STQ1HN60K3-AP
निर्माता:
STMicroelectronics
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - SCRs and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STQ1HN60K3-AP उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : STQ1HN60K3-AP
निर्माता : STMicroelectronics
वर्णन : MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
श्रृंखला : SuperMESH3™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 400mA (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 8 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4.5V @ 50µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 9.5nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 140pF @ 50V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 3W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-92-3
प्याकेज / केस : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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