IRFH5250DTRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [119955पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.30834
- 4,000 pcs$0.29601
- भाग संख्या:
- IRFH5250DTRPBF
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH5250DTRPBF electronic components. IRFH5250DTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH5250DTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH5250DTRPBF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IRFH5250DTRPBF
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
श्रृंखला :
HEXFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
25V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
40A (Ta), 100A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.35V @ 150µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
83nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
6115pF @ 13V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
3.6W (Ta), 156W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-PQFN (5x6)
प्याकेज / केस :
8-PowerVDFN
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