भाग संख्या :
SI1900DL-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
630mA (Ta), 590mA (Ta)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
480 mOhm @ 590mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
1.4nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
-
पावर - अधिकतम :
300mW, 270mW
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SC-70-6