Infineon Technologies - IRFHM792TRPBF

KEY Part #: K6525155

IRFHM792TRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [100957पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.38730
  • 4,000 pcs$0.37178

भाग संख्या:
IRFHM792TRPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFHM792TRPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRFHM792TRPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2.3A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 195 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 10µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 6.3nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 251pF @ 25V
पावर - अधिकतम : 2.3W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-PowerVDFN
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

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