Toshiba Semiconductor and Storage - TK28N65W,S1F

KEY Part #: K6397910

TK28N65W,S1F मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [16378पीसी स्टक]

  • 1 pcs$2.76760
  • 30 pcs$2.22509
  • 120 pcs$2.02729
  • 510 pcs$1.64163
  • 1,020 pcs$1.38450

भाग संख्या:
TK28N65W,S1F
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - TRIACs, Thyristors - SCRs and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK28N65W,S1F उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TK28N65W,S1F
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
श्रृंखला : DTMOSIV
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 27.6A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 110 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 1.6mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 75nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 3000pF @ 300V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 230W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-247
प्याकेज / केस : TO-247-3

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