निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
19A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
4.5 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.25V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
44nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
3710pF @ 15V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.5W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TA)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
-