RSS090P03FU7TB मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [3045पीसी स्टक]
- 2,500 pcs$0.21317
- भाग संख्या:
- RSS090P03FU7TB
- निर्माता:
- Rohm Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Rohm Semiconductor RSS090P03FU7TB electronic components. RSS090P03FU7TB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RSS090P03FU7TB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RSS090P03FU7TB उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
RSS090P03FU7TB
निर्माता :
Rohm Semiconductor
वर्णन :
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
9A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
14 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
39nC @ 5V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
4000pF @ 10V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SOP
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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