DMT5015LFDF-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [377634पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.09795
- 3,000 pcs$0.08766
- भाग संख्या:
- DMT5015LFDF-7
- निर्माता:
- Diodes Incorporated
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - DIACs, SIDACs and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Diodes Incorporated DMT5015LFDF-7 electronic components. DMT5015LFDF-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT5015LFDF-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMT5015LFDF-7 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
DMT5015LFDF-7
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
50V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
9.1A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
15 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±16V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
902.7pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
820mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
6-UDFN2020 (2x2)
प्याकेज / केस :
6-UDFN Exposed Pad
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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- IRF9Z34NSTRR
- IRFBC30A
- IRLZ24
- PH2625L,115
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