Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6N36FE,LM

KEY Part #: K6525523

SSM6N36FE,LM मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1169017पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.03498
  • 4,000 pcs$0.03480

भाग संख्या:
SSM6N36FE,LM
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, Thyristors - TRIACs and Thyristors - SCRs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6N36FE,LM उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SSM6N36FE,LM
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 500mA
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 630 mOhm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 1.23nC @ 4V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 46pF @ 10V
पावर - अधिकतम : 150mW
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SOT-563, SOT-666
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : ES6 (1.6x1.6)

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