IXYS - IXFA4N100Q-TRL

KEY Part #: K6399277

IXFA4N100Q-TRL मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [25241पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.88710
  • 800 pcs$1.87771

भाग संख्या:
IXFA4N100Q-TRL
निर्माता:
IXYS
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA4N100Q-TRL उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXFA4N100Q-TRL
निर्माता : IXYS
वर्णन : MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
श्रृंखला : HiPerFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 1000V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4.5V @ 1.5mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1050pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 150W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-263 (IXFA)
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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