Diodes Incorporated - DMG8822UTS-13

KEY Part #: K6522969

DMG8822UTS-13 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [446296पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.08288
  • 2,500 pcs$0.04307

भाग संख्या:
DMG8822UTS-13
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG8822UTS-13 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMG8822UTS-13
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4.9A (Ta)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 900mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 9.6nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 841pF @ 10V
पावर - अधिकतम : 870mW
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-TSSOP

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