SIDR392DP-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [71768पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.54482
- भाग संख्या:
- SIDR392DP-T1-GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CHAN 30V.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - TRIACs, Thyristors - DIACs, SIDACs and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SIDR392DP-T1-GE3 electronic components. SIDR392DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIDR392DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIDR392DP-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SIDR392DP-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CHAN 30V
श्रृंखला :
TrenchFET® Gen IV
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
82A (Ta), 100A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
0.62 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
188nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
+20V, -16V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
9530pF @ 15V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
6.25W (Ta), 125W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® SO-8DC
प्याकेज / केस :
PowerPAK® SO-8
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- 2N7002PM,315
- PHD34NQ10T,118
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- IRFIBE20G
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- STT3PF20V
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- SQM50N04-4M0L_GE3
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- TPC8067-H,LQ(S
- SQ2398ES-T1_GE3