Vishay Siliconix - SI4484EY-T1-E3

KEY Part #: K6408650

[555पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    SI4484EY-T1-E3
    निर्माता:
    Vishay Siliconix
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4484EY-T1-E3 electronic components. SI4484EY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4484EY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4484EY-T1-E3 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : SI4484EY-T1-E3
    निर्माता : Vishay Siliconix
    वर्णन : MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
    श्रृंखला : TrenchFET®
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4.8A (Ta)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 6V, 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 34 mOhm @ 6.9A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2V @ 250µA (Min)
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 30nC @ 10V
    Vgs (अधिकतम) : ±20V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.8W (Ta)
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SO
    प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ