Diodes Incorporated - DMT3009LFVWQ-7

KEY Part #: K6401977

DMT3009LFVWQ-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [300633पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.12303

भाग संख्या:
DMT3009LFVWQ-7
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT3009LFVWQ-7 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMT3009LFVWQ-7
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 12A (Ta), 50A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 3.8V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 11 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 823pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount, Wettable Flank
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PowerDI3333-8
प्याकेज / केस : 8-PowerVDFN

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