भाग संख्या :
SQ2364EES-T1_GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CHAN 60V SOT-23
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
2A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
240 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
2.5nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
330pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
3W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SOT-23-3 (TO-236)
प्याकेज / केस :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3