भाग संख्या :
PHT8N06LT,135
वर्णन :
MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
55V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
3.5A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
80 mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
11.2nC @ 5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
650pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SOT-223
प्याकेज / केस :
TO-261-4, TO-261AA