Rohm Semiconductor - RV2C010UNT2L

KEY Part #: K6393248

RV2C010UNT2L मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1574434पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.02597
  • 8,000 pcs$0.02584

भाग संख्या:
RV2C010UNT2L
निर्माता:
Rohm Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 20V 1A VML1006.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RV2C010UNT2L उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RV2C010UNT2L
निर्माता : Rohm Semiconductor
वर्णन : MOSFET N-CH 20V 1A VML1006
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 1A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.2V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 470 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : ±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 40pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 400mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DFN1006-3 (VML1006)
प्याकेज / केस : SC-101, SOT-883

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