NVATS4A101PZT4G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [258188पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.14397
- 3,000 pcs$0.14326
- भाग संख्या:
- NVATS4A101PZT4G
- निर्माता:
- ON Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in ON Semiconductor NVATS4A101PZT4G electronic components. NVATS4A101PZT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVATS4A101PZT4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVATS4A101PZT4G उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
NVATS4A101PZT4G
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
27A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
30 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.6V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
18.5nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
875pF @ 10V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
36W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
ATPAK
प्याकेज / केस :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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