Microsemi Corporation - APTM120U10SCAVG

KEY Part #: K6412691

APTM120U10SCAVG मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [13357पीसी स्टक]

  • 100 pcs$133.52545

भाग संख्या:
APTM120U10SCAVG
निर्माता:
Microsemi Corporation
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120U10SCAVG उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : APTM120U10SCAVG
निर्माता : Microsemi Corporation
वर्णन : MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
श्रृंखला : POWER MOS 7®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 1200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 116A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 120 mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 20mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 1100nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 28900pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 3290W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SP6
प्याकेज / केस : SP6

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