भाग संख्या :
SSM3K72KCT,L3F
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N-CH 60V 0.4A
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
400mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
0.6nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
40pF @ 10V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
500mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
CST3
प्याकेज / केस :
SC-101, SOT-883