Microsemi Corporation - APTC60HM70RT3G

KEY Part #: K6522663

APTC60HM70RT3G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1784पीसी स्टक]

  • 1 pcs$24.27363
  • 100 pcs$23.66546

भाग संख्या:
APTC60HM70RT3G
निर्माता:
Microsemi Corporation
विस्तृत विवरण:
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and Thyristors - SCRs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTC60HM70RT3G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : APTC60HM70RT3G
निर्माता : Microsemi Corporation
वर्णन : MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F
श्रृंखला : CoolMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 39A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 70 mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.9V @ 2.7mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 259nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 7000pF @ 25V
पावर - अधिकतम : 250W
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : -
प्याकेज / केस : SP3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SP3

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