ON Semiconductor - NTMFD4C88NT3G

KEY Part #: K6525081

NTMFD4C88NT3G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [51093पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.76912
  • 5,000 pcs$0.76529

भाग संख्या:
NTMFD4C88NT3G
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - TRIACs and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFD4C88NT3G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : NTMFD4C88NT3G
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Last Time Buy
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 11.7A, 14.2A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 5.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 22.2nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1252pF @ 15V
पावर - अधिकतम : 1.1W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-PowerTDFN
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-DFN (5x6)

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