ON Semiconductor - NTB082N65S3F

KEY Part #: K6397440

NTB082N65S3F मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [19405पीसी स्टक]

  • 1 pcs$2.12375

भाग संख्या:
NTB082N65S3F
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
SUPERFET3 650V D2PAK PKG.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTB082N65S3F उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : NTB082N65S3F
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : SUPERFET3 650V D2PAK PKG
श्रृंखला : SuperFET® III
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 40A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 82 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 4mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 81nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 3410pF @ 400V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 313W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D²PAK (TO-263)
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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