Infineon Technologies - FD150R12RT4HOSA1

KEY Part #: K6532517

FD150R12RT4HOSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1637पीसी स्टक]

  • 1 pcs$26.44980

भाग संख्या:
FD150R12RT4HOSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
IGBT MODULE 1200V 150A.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Infineon Technologies FD150R12RT4HOSA1 electronic components. FD150R12RT4HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FD150R12RT4HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FD150R12RT4HOSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : FD150R12RT4HOSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : IGBT MODULE 1200V 150A
श्रृंखला : C
भाग स्थिति : Active
IGBT प्रकार : Trench Field Stop
कन्फिगरेसन : Single Chopper
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 150A
पावर - अधिकतम : 790W
Vce (on) (अधिकतम) @ Vge, आईसी : 2.15V @ 15V, 150A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 1mA
इनपुट क्यापेसिटन्स (Cies) @ Vce : 9.3nF @ 25V
इनपुट : Standard
NTC थर्मिस्टर : No
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : Module
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Module

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