SI8902EDB-T2-E1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [103515पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.37773
- 3,000 pcs$0.33477
- भाग संख्या:
- SI8902EDB-T2-E1
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SI8902EDB-T2-E1 electronic components. SI8902EDB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8902EDB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI8902EDB-T2-E1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SI8902EDB-T2-E1
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
श्रृंखला :
TrenchFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
3.9A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
-
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 980µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
-
पावर - अधिकतम :
1W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
6-MICRO FOOT®CSP
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
6-Micro Foot™ (2.36x1.56)
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