BAS116,235 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2788354पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.01526
- 10,000 pcs$0.01518
- 30,000 pcs$0.01429
- 50,000 pcs$0.01339
- 100,000 pcs$0.01190
- भाग संख्या:
- BAS116,235
- निर्माता:
- Nexperia USA Inc.
- विस्तृत विवरण:
- DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE LOW LEAKAGE TAPE-11
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BAS116,235 electronic components. BAS116,235 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS116,235, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS116,235 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
BAS116,235
निर्माता :
Nexperia USA Inc.
वर्णन :
DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
डायोड प्रकार :
Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
75V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
215mA (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.25V @ 150mA
गति :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
3µs
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
5nA @ 75V
Capacitance @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-236AB
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
150°C (Max)
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
तातो पार्ट्स
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18