IPD50N06S409ATMA2 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [176229पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.20988
- 2,500 pcs$0.17627
- भाग संख्या:
- IPD50N06S409ATMA2
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - DIACs, SIDACs and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPD50N06S409ATMA2 electronic components. IPD50N06S409ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD50N06S409ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD50N06S409ATMA2 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPD50N06S409ATMA2
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
50A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 34µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
47.1nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
3785pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
71W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO252-3-11
प्याकेज / केस :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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- SI1011X-T1-GE3
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