RGF1M-E3/67A मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [550125पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.07095
- 1,500 pcs$0.07060
- 3,000 pcs$0.06437
- 7,500 pcs$0.06021
- 10,500 pcs$0.05606
- भाग संख्या:
- RGF1M-E3/67A
- निर्माता:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- विस्तृत विवरण:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 1000Volt 500ns 30 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGF1M-E3/67A electronic components. RGF1M-E3/67A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGF1M-E3/67A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RGF1M-E3/67A उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
RGF1M-E3/67A
निर्माता :
Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
श्रृंखला :
SUPERECTIFIER®
भाग स्थिति :
Active
डायोड प्रकार :
Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
1000V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.3V @ 1A
गति :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
500ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
5µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F :
8.5pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
DO-214BA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
DO-214BA (GF1)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-65°C ~ 175°C
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
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C3D04060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A
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BAS21E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 250V 0.25A
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BAT64E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A
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MMBD1201
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast
तातो पार्ट्स
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A