भाग संख्या :
SSM6J207FE,LF
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
1.4A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
251 mOhm @ 650mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.6V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
137pF @ 15V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
500mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
ES6 (1.6x1.6)
प्याकेज / केस :
SOT-563, SOT-666