Vishay Siliconix - SQ1464EEH-T1_GE3

KEY Part #: K6421466

SQ1464EEH-T1_GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [586266पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.06309

भाग संख्या:
SQ1464EEH-T1_GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CHAN 60V SC-70.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ1464EEH-T1_GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SQ1464EEH-T1_GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CHAN 60V SC-70
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 440mA (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.41 Ohm @ 2A, 1.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 4.1nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 140pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 430mW (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SC-70-6
प्याकेज / केस : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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