निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
1.1A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
350 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
4.8nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
140pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
625mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SOT-23-3
प्याकेज / केस :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3