Infineon Technologies - IRF6810STR1PBF

KEY Part #: K6403143

[2460पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    IRF6810STR1PBF
    निर्माता:
    Infineon Technologies
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N CH 25V 16A S1.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF6810STR1PBF उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : IRF6810STR1PBF
    निर्माता : Infineon Technologies
    वर्णन : MOSFET N CH 25V 16A S1
    श्रृंखला : HEXFET®
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 25V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 16A (Ta), 50A (Tc)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 5.2 mOhm @ 16A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.1V @ 25µA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
    Vgs (अधिकतम) : ±16V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1038pF @ 13V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.1W (Ta), 20W (Tc)
    अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DIRECTFET S1
    प्याकेज / केस : DirectFET™ Isometric S1

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