IPD200N15N3GATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [77328पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.50564
- 2,500 pcs$0.46392
- भाग संख्या:
- IPD200N15N3GATMA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPD200N15N3GATMA1 electronic components. IPD200N15N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD200N15N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD200N15N3GATMA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPD200N15N3GATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
श्रृंखला :
OptiMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
150V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
50A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
8V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
20 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 90µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1820pF @ 75V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
150W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO252-3
प्याकेज / केस :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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तातो पार्ट्स
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- IRLBD59N04ETRLP
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- TK9P65W,RQ
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