Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA08TB60HN3

KEY Part #: K6434201

VS-HFA08TB60HN3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [133180पीसी स्टक]

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  • 1,000 pcs$0.25284

भाग संख्या:
VS-HFA08TB60HN3
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers Hexfreds - TO-220-e3
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA08TB60HN3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VS-HFA08TB60HN3
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, HEXFRED®
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 8A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.7V @ 8A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 37ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-220-2
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220AC
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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