Rohm Semiconductor - RP1E090XNTCR

KEY Part #: K6404511

[1986पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    RP1E090XNTCR
    निर्माता:
    Rohm Semiconductor
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET N-CH 30V 9A MPT6.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Rohm Semiconductor RP1E090XNTCR electronic components. RP1E090XNTCR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RP1E090XNTCR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RP1E090XNTCR उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : RP1E090XNTCR
    निर्माता : Rohm Semiconductor
    वर्णन : MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : N-Channel
    टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 9A (Ta)
    ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4V, 10V
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 17 mOhm @ 9A, 10V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 1mA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 6.8nC @ 5V
    Vgs (अधिकतम) : ±20V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 440pF @ 10V
    FET फिचर : -
    पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2W (Ta)
    अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : MPT6
    प्याकेज / केस : 6-SMD, Flat Leads

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