Texas Instruments - CSD83325LT

KEY Part #: K6523201

CSD83325LT मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [206175पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.19238
  • 250 pcs$0.19142
  • 1,250 pcs$0.09344

भाग संख्या:
CSD83325LT
निर्माता:
Texas Instruments
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD83325LT उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CSD83325LT
निर्माता : Texas Instruments
वर्णन : MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
श्रृंखला : NexFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 12V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : -
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : -
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.25V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 10.9nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
पावर - अधिकतम : 2.3W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-XFBGA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 6-PicoStar

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