DMN3110LCP3-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [523372पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.07067
- 3,000 pcs$0.06325
- भाग संख्या:
- DMN3110LCP3-7
- निर्माता:
- Diodes Incorporated
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN3110LCP3-7 electronic components. DMN3110LCP3-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3110LCP3-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN3110LCP3-7 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
DMN3110LCP3-7
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
3.2A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.8V, 8V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
69 mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1.1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
1.52nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) :
12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
150pF @ 15V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.38W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
X2-DFN1006-3
प्याकेज / केस :
3-XFDFN
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