NVMFS5C670NLAFT1G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [231031पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.23210
- 1,500 pcs$0.23094
- भाग संख्या:
- NVMFS5C670NLAFT1G
- निर्माता:
- ON Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and Thyristors - SCRs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in ON Semiconductor NVMFS5C670NLAFT1G electronic components. NVMFS5C670NLAFT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS5C670NLAFT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVMFS5C670NLAFT1G उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
NVMFS5C670NLAFT1G
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
17A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
6.1 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 53µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1400pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
61W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
प्याकेज / केस :
8-PowerTDFN, 5 Leads
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- PHP14NQ20T,127
- 2SJ661-DL-1EX
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- FDJ129P_F077
- IRF3704ZCLPBF
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- NTD70N03R
- IPSH5N03LA G
- IPP07N03LB G
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- FQP7N10L
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- BSS123ATA
- 2N6760
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- IRFR3707TR
- STP12PF06
- IXFH35N30
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