Diodes Incorporated - DMP1100UCB4-7

KEY Part #: K6405232

DMP1100UCB4-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [588888पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.06312
  • 3,000 pcs$0.06281

भाग संख्या:
DMP1100UCB4-7
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP1100UCB4-7 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMP1100UCB4-7
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 12V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2.5A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.3V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 83 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 800mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 820pF @ 6V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 670mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : X2-WLB0808-4
प्याकेज / केस : 4-UFBGA, WLBGA

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