IRFR120TRRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [124508पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.29707
- 3,000 pcs$0.27895
- भाग संख्या:
- IRFR120TRRPBF
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and Thyristors - TRIACs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFR120TRRPBF electronic components. IRFR120TRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR120TRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFR120TRRPBF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IRFR120TRRPBF
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
7.7A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
270 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
16nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
360pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.5W (Ta), 42W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
D-Pak
प्याकेज / केस :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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