भाग संख्या :
TSM1NB60SCT A3
निर्माता :
Taiwan Semiconductor Corporation
वर्णन :
MOSFET N-CH 600V TO92
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
500mA (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
10 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
6.1nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
138pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.5W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-92
प्याकेज / केस :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)