CSD19531Q5AT मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [78115पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.51599
- 250 pcs$0.51343
- 1,250 pcs$0.33111
- भाग संख्या:
- CSD19531Q5AT
- निर्माता:
- Texas Instruments
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 100V 100A 8SON.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Texas Instruments CSD19531Q5AT electronic components. CSD19531Q5AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD19531Q5AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD19531Q5AT उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
CSD19531Q5AT
निर्माता :
Texas Instruments
वर्णन :
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
श्रृंखला :
NexFET™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
100A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
6.4 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
48nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
3870pF @ 50V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
3.3W (Ta), 125W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-VSONP (5x6)
प्याकेज / केस :
8-PowerTDFN
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- NTD70N03R
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