Vishay Siliconix - SI7143DP-T1-GE3

KEY Part #: K6416198

SI7143DP-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [151819पीसी स्टक]

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  • 3,000 pcs$0.24363

भाग संख्या:
SI7143DP-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7143DP-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SI7143DP-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 35A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 10 mOhm @ 16.1A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.8V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 71nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2230pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 4.2W (Ta), 35.7W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -50°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PowerPAK® SO-8
प्याकेज / केस : PowerPAK® SO-8

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