Vishay Siliconix - SISF00DN-T1-GE3

KEY Part #: K6525216

SISF00DN-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [134082पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.27586

भाग संख्या:
SISF00DN-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - DIACs, SIDACs and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISF00DN-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SISF00DN-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
श्रृंखला : TrenchFET® Gen IV
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 60A (Tc)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 53nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2700pF @ 15V
पावर - अधिकतम : 69.4W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : PowerPAK® 1212-8SCD
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PowerPAK® 1212-8SCD

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