EPC - EPC8010

KEY Part #: K6416436

परिवार कोटिहरू:: KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...

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भाग संख्या : EPC8010

निर्माता : EPC

वर्णन : GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE

श्रृंखला : eGaN®

भाग स्थिति : Active

FET प्रकार : N-Channel

टेक्नोलोजी : GaNFET (Gallium Nitride)

स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V

हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस : 2.7A (Ta)

ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 5V

Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 160 mOhm @ 500mA, 5V

Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 250µA

गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 0.48nC @ 5V

Vgs (अधिकतम) : +6V, -4V

इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 55pF @ 50V

FET फिचर : -

पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : -

अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount

आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Die

प्याकेज / केस : Die

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