Vishay Semiconductor Diodes Division - GI751-E3/54

KEY Part #: K6452271

GI751-E3/54 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [235208पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.15725
  • 800 pcs$0.14809
  • 1,600 pcs$0.11847
  • 2,400 pcs$0.10736
  • 5,600 pcs$0.09996
  • 20,000 pcs$0.09872

भाग संख्या:
GI751-E3/54
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 100V 6A P600. Rectifiers 6 Amp 100 Volt 400 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GI751-E3/54 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : GI751-E3/54
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 100V 6A P600
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 100V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 6A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 900mV @ 6A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 2.5µs
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : 150pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : P600, Axial
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : P600
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -50°C ~ 150°C

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